1 量測(cè)設(shè)備保障良率，芯片生產(chǎn)中重要性顯著
1.1 量測(cè)設(shè)備在晶圓制造中的應(yīng)用
芯片的完整生產(chǎn)流程包括前道晶圓制造和后道封裝測(cè)試。在晶圓制造中使用的設(shè)備為前道設(shè)備；封裝測(cè)試中使用的設(shè)備為后道設(shè)備。 晶圓制造借助半導(dǎo)體前道設(shè)備及 EDA 等工業(yè)軟件系統(tǒng)，以硅片、電子化學(xué)品、靶 材、氣體等為原材料，將設(shè)計(jì)的電路圖轉(zhuǎn)移到晶圓上。晶圓的制造過(guò)程包括光刻、 刻蝕、薄膜沉積、清洗、熱處理、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光、量測(cè)等多個(gè)工藝步 驟。由于集成電路一般由多層結(jié)構(gòu)組成，故在單個(gè)晶圓的生產(chǎn)中，需多次重復(fù)以 上步驟，層層成形并最終構(gòu)成完整的集成電路結(jié)構(gòu)。 量測(cè)設(shè)備不直接參與對(duì)晶圓的光刻、刻蝕等工藝處理，但每個(gè)重要的工藝步驟后， 量測(cè)設(shè)備會(huì)對(duì)晶圓進(jìn)行檢測(cè)，以驗(yàn)證并改善工藝的質(zhì)量，并剔除不合格率過(guò)高的晶圓。
隨著制程升級(jí)，集成電路的結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜化：鰭式場(chǎng)效晶體管、3D 堆疊、埋入式字線等新型3D結(jié)構(gòu)帶來(lái)了新的工藝挑戰(zhàn)，晶圓制造所需要的工序數(shù)量不斷攀升。 據(jù)統(tǒng)計(jì)，28 納米制程晶圓制造需要數(shù)百道工序，而采用多重曝光和多重掩膜技術(shù)的14納米及以下制程，工藝步驟數(shù)量增加到近千。同時(shí)，單片晶圓制造所需的時(shí) 間也長(zhǎng)達(dá) 3 個(gè)月。高難度的工藝步驟增大了工藝缺陷的概率，工藝節(jié)點(diǎn)每推進(jìn)一 代，工藝中產(chǎn)生的致命缺陷數(shù)量會(huì)增加 50%。；漫長(zhǎng)的生產(chǎn)時(shí)間，增大了晶圓被損 壞、污染的可能性。
晶圓生產(chǎn)近千道的工藝步驟數(shù)量，對(duì)芯片的最終良率帶來(lái)較大壓力。單個(gè)7納米晶圓制造的成本超過(guò) 10,000 美元，涉及超 1000 道工序。如果每個(gè)步驟的良品率 為 99.5%，則最終只有價(jià)值小于 100 美元的芯片能夠出售，良品率低于1%。即使每道工序良率達(dá)到 99.95%，成品良率也只有 99.9%^1000=60.65%，價(jià)值約 4,000 美元的芯片被報(bào)廢。據(jù)此可知，晶圓生產(chǎn)的良率，對(duì)晶圓廠的毛利率有著重大影 響；達(dá)到并保持高良率水平，能顯著增強(qiáng)晶圓廠的盈利能力。
隨著集成電路制程繼續(xù)朝高端推進(jìn)，晶圓生產(chǎn)對(duì)工藝良率 控制提出了更高的要求。量測(cè)設(shè)備能在晶圓生產(chǎn)中監(jiān)測(cè)、識(shí)別、定位、分析工藝 缺陷，幫助晶圓制造企業(yè)及時(shí)發(fā)現(xiàn)問題、改善工藝、提高良率。高端集成電路生產(chǎn)對(duì)于量測(cè)設(shè)備的依賴將加深，量測(cè)設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模有望持續(xù)擴(kuò)大。
在量測(cè)與測(cè)試步驟結(jié)束后，晶圓上的良率統(tǒng)計(jì)結(jié)果會(huì)以晶圓分布圖的方式反饋給 工藝人員。合格與不合格的芯片在晶圓上的位置，會(huì)通過(guò)工業(yè)軟件錄入到計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，以晶圓圖的形式記錄下來(lái)。較早的技術(shù)會(huì)在不良芯片的表面上涂上墨點(diǎn) （Inking）；晶圓移送到封裝廠后，就不會(huì)去封裝這些帶墨點(diǎn)的芯片，從而節(jié)省大量的人力物力成本。此外，部分芯片會(huì)被判定為不合格，但是可以修復(fù)；這些芯片經(jīng)過(guò)專用的激光修復(fù)機(jī)處理后，會(huì)重新進(jìn)入測(cè)試流程。
1.2 量測(cè)設(shè)備種類豐富，覆蓋多種前道工序
量測(cè)設(shè)備可分為尺寸測(cè)量設(shè)備(Metrology)、缺陷檢測(cè)設(shè)備(DefectInspection)兩大 類，兩類設(shè)備均廣泛運(yùn)用于晶圓生產(chǎn)流程中。測(cè)量設(shè)備對(duì)單步工藝（或若干次相似工藝）處理的晶圓進(jìn)行測(cè)量，確保關(guān)鍵工藝參數(shù)（厚度、線寬、成分等）符合集成電路的工藝指標(biāo)。測(cè)量設(shè)備主要包括膜厚測(cè)量、關(guān)鍵尺寸測(cè)量、套刻測(cè)量等。 缺陷檢測(cè)設(shè)備對(duì)晶圓表面的電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行掃描，發(fā)現(xiàn)并定位異常的電路圖形，主要包括有圖形檢測(cè)、無(wú)圖形檢測(cè)、電子束檢測(cè)三大類。
1.2.1 膜厚測(cè)量：薄膜沉積與 CMP 關(guān)鍵參數(shù)
集成電路的制造需要在晶圓表面多次沉積各種薄膜。隨著工藝制程的進(jìn)步，薄膜沉積的次數(shù)由 90 納米制程的 40 次上升到14納米制程的超過(guò) 100 次；薄膜種類 也由 6 種上升到近 20 種。薄膜的厚度和均勻性會(huì)對(duì)集成電路的最終性能產(chǎn)生較大影響；故高質(zhì)量、厚度精確的薄膜沉積和薄膜形貌保持，是實(shí)現(xiàn)高良率關(guān)鍵。薄 膜的種類主要包括硅（單晶硅、多晶硅），電介質(zhì)（二氧化硅、單晶硅），金屬膜 （鋁、鈦、銅、鎢）。不同透明度的薄膜，量測(cè)設(shè)備會(huì)采用不同的方式測(cè)量膜厚。
針對(duì)透明的介質(zhì)薄膜（氮化物、氧化物）、半導(dǎo)體薄膜（硅）、很薄的金屬薄膜（Ti、Ta 及其氧化物），可基于多界面光學(xué)干涉原理對(duì)其進(jìn)行膜厚測(cè)量。這種測(cè)量方式 稱為光學(xué)薄膜測(cè)量，具有快速、精確、無(wú)損傷的特點(diǎn)。
光學(xué)薄膜測(cè)量設(shè)備有橢圓偏振光譜測(cè)量和垂直測(cè)量?jī)煞N方式。橢圓偏振測(cè)量方式 更為精確，其主要原理是：光源發(fā)出的光以一定角度入射晶圓片表面，被薄膜層 和襯底層反射的光，經(jīng)過(guò)光學(xué)系統(tǒng)和檢偏器，最終由質(zhì)譜儀接收。其中，光學(xué)系統(tǒng)需要兼顧入射光在晶圓表面的光斑大小、光通量、光譜系統(tǒng)的分辨率，從而實(shí)現(xiàn)在以毫秒為單位的短時(shí)間內(nèi)，微小區(qū)域內(nèi)的光譜收集。質(zhì)譜儀收集光學(xué)信號(hào)后，軟件系統(tǒng)依據(jù)光學(xué)色散模型，及多界面光學(xué)干涉原理，對(duì)入射信號(hào)進(jìn)行算法處理， 最終得到精確的薄膜厚度，并上傳到數(shù)據(jù)系統(tǒng)當(dāng)中。在工作過(guò)程中，移動(dòng)平臺(tái)會(huì) 移動(dòng)晶圓從而測(cè)量多個(gè)位置；光譜采集、數(shù)學(xué)計(jì)算、晶圓移動(dòng)一般并行進(jìn)行。
對(duì)于較厚的不透光導(dǎo)電金屬，一般使用四探針儀對(duì)其進(jìn)行厚度測(cè)量。由于鋁、銅這樣的純金屬材料，電阻率是一個(gè)常數(shù)，故對(duì)金屬膜層方塊電阻率的測(cè)量，能同時(shí)計(jì)算出薄膜厚度。 四探針測(cè)量電阻的具體方法為：在1,4兩點(diǎn)外接電流源，將一個(gè)恒定電流通過(guò)探針注入樣品，使用電流表計(jì)量電流大小I；同時(shí)在 2,3 探針之間用精準(zhǔn)電壓表測(cè)得內(nèi)部電壓 U，從而憑借R=U/I得出電阻，再除以金屬的單位厚度電阻率，最終得出膜厚。
1.2.2 關(guān)鍵尺寸（CD）測(cè)量：柵極制造關(guān)鍵
隨著晶圓制造技術(shù)的不斷發(fā)展，集成電路中各類尺寸不斷微縮，對(duì)尺寸誤差的容忍度也不斷降低。其中，集成電路柵極的關(guān)鍵尺寸大小非常重要，其任何變化都會(huì)嚴(yán)重影響芯片性能，需要光刻和刻蝕等高難度工藝。此外，關(guān)鍵尺寸測(cè)量有助于實(shí)現(xiàn)工藝的均一性和穩(wěn)定性。因?yàn)榧呻娐逢P(guān)鍵尺寸的變化，會(huì)反映出刻蝕、光刻等設(shè)備和工藝的波動(dòng)偏差，或光刻膠等關(guān)鍵材料的性能變化。由于柵極是集成電路中最微小的結(jié)構(gòu)，故測(cè)量關(guān)鍵尺寸通常需要關(guān)鍵尺寸掃描電子顯微鏡(CDSEM)和光學(xué)關(guān)鍵尺寸測(cè)量設(shè)備(OCD)。
關(guān)鍵尺寸電子掃描顯微鏡用于測(cè)量關(guān)鍵尺寸，并監(jiān)控光刻與顯影涂膠設(shè)備的運(yùn)行狀況，其工作的基本原理是：被測(cè)物體的原子被顯微鏡電子槍發(fā)射的電子束激發(fā)，產(chǎn)生二次電子。由于斜坡處入射電子有效作用面積大，產(chǎn)生的二次電子數(shù)量最多，轉(zhuǎn)換為電鏡圖像時(shí)，圖像邊緣亮度高，可以此為依據(jù)計(jì)算關(guān)鍵尺寸。
集成電路大批量生產(chǎn)對(duì)于關(guān)鍵尺寸掃描顯微鏡（CD-SEM）的產(chǎn)能有較高要求，故其需要具備快速準(zhǔn)確的圖像識(shí)別能力。設(shè)備中承載晶圓的移動(dòng)平臺(tái)，通常以微米 為單位進(jìn)行移動(dòng)，CD-SEM 會(huì)在低放大倍數(shù)上，通過(guò)光學(xué)方式初步搜索特征圖形，然后依據(jù)特征圖形與待測(cè)圖形的相對(duì)位置，對(duì)準(zhǔn)最終需要測(cè)量的關(guān)鍵尺寸圖形(高精度的電子束用以確保對(duì)準(zhǔn)精度)。電子掃描并完成成像后，會(huì)將圖像和數(shù)據(jù)上傳到系統(tǒng)中，系統(tǒng)依據(jù)算法構(gòu)建出集成電路結(jié)構(gòu)的 2D 或 3D 圖形。
CD-SEM 也存在一些缺點(diǎn)：測(cè)量需在高真空環(huán)境中進(jìn)行，設(shè)備體積大，測(cè)量速度慢；高能電荷可能損壞集成電路結(jié)構(gòu)。針對(duì)這些缺點(diǎn)，光學(xué)關(guān)鍵尺寸測(cè)量設(shè)備（OCD）可以有效進(jìn)行彌補(bǔ)。光學(xué)關(guān)鍵尺寸測(cè)量具有較好的重復(fù)性和穩(wěn)定性，可以一次測(cè)量得到較多的工藝參數(shù)，在先進(jìn)制程中得到廣泛應(yīng)用。
1.2.3 套刻（Overlay）誤差測(cè)量：確保光刻精準(zhǔn)度
套刻誤差的定義是兩層圖形結(jié)構(gòu)中心之間的平面距離。隨著集成電路的層數(shù)不斷增多，多重圖形和多重曝光的光刻工藝被廣泛應(yīng)用，不同步驟形成的電路圖形之 間的套刻精度愈發(fā)重要。套刻誤差過(guò)大形成的錯(cuò)位，會(huì)導(dǎo)致整個(gè)電路失效報(bào)廢。套刻誤差測(cè)量設(shè)備，用于確保不同層級(jí)電路圖形，和同一層電路圖形的正確對(duì)齊和放置。套刻誤差測(cè)量通常在每道光刻步驟后進(jìn)行。
套刻誤差測(cè)量有光學(xué)顯微成像（IBO）、光學(xué)衍射成像（DBO）、掃描電子顯微鏡 （SEM-OL）三種方法。光學(xué)顯微成像設(shè)備比較常用，通過(guò)光學(xué)顯微系統(tǒng)獲得兩層 套刻目標(biāo)圖形的數(shù)字化圖形，然后通過(guò)軟件算法定位每一層圖形的邊界位置，進(jìn)一步計(jì)算出中心位置，從而獲得套刻誤差;光學(xué)衍射設(shè)備將一束單色平行光，照射 到不同層套刻目標(biāo)的光柵上，通過(guò)測(cè)量衍射射束強(qiáng)度的不確定性來(lái)確定誤差。掃描電子顯微鏡的主要用于刻蝕后的最終套刻誤差測(cè)量，對(duì)應(yīng)的目標(biāo)圖形尺寸更小，但測(cè)量速度較慢。
套刻測(cè)量需要在模板上設(shè)計(jì)專用的套刻目標(biāo)圖形以方便對(duì)準(zhǔn)測(cè)量，這些圖形通常出現(xiàn)在劃片槽區(qū)域。在高端芯片制程中，對(duì)準(zhǔn)圖形的邊緣數(shù)量不斷增加，常見的對(duì)準(zhǔn)圖形包括：塊中塊、條中條、特殊目標(biāo)圖形。
1.2.4 宏觀缺陷檢測(cè)：快速發(fā)現(xiàn)較大缺陷
宏觀缺陷檢測(cè)設(shè)備基于光學(xué)圖像技術(shù)，用于晶圓片上較大缺陷的識(shí)別檢測(cè)，通常 針對(duì)尺度大于 0.5 微米的缺陷。宏觀缺陷檢測(cè)有兩種方式：一種是全晶圓表面一 次性圖像成形，檢測(cè)速度快；另一種方法為每次檢測(cè)晶圓部分區(qū)域，通過(guò)連續(xù)掃描成像，最終得到完整的晶圓圖形。檢測(cè)的光學(xué)原理與其他光學(xué)設(shè)備類似：光源入射到晶圓片表面，光學(xué)傳感器捕捉晶圓反射或衍射的光，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)對(duì)比分析光學(xué)數(shù)據(jù)，通過(guò)異常值來(lái)捕捉缺陷。
宏觀缺陷類型通常分為晶圓正面缺陷、晶圓背部缺陷、邊緣缺陷三種。晶圓正面 缺陷通常包括聚焦缺陷、部分曝光、光刻膠、顆粒污染缺陷、套刻錯(cuò)誤、劃痕等； 晶圓背面缺陷主要為劃痕和裂紋；晶圓邊緣缺陷主要為邊緣去除覆蓋度缺陷、邊緣缺口、裂紋等。
1.2.5 無(wú)圖形缺陷檢測(cè)：識(shí)別雜質(zhì)等缺陷
無(wú)圖形缺陷檢測(cè)設(shè)備使用光學(xué)的檢測(cè)方法，主要針對(duì)的缺陷類型包括顆粒污染、 凹坑、水印、劃傷、外延垛堆、CMP 凸起等。在前道晶圓制造流程中，無(wú)圖形缺 陷檢測(cè)主要用于來(lái)料品質(zhì)檢測(cè)、薄膜沉積與 CMP 的工藝控制、晶圓背面污染檢 測(cè)、測(cè)試設(shè)備潔凈度等領(lǐng)域。
無(wú)圖形缺陷檢的主要工作原理為：將激光照射在晶圓表面某一區(qū)域，晶圓在移動(dòng) 平臺(tái)的作用下做旋轉(zhuǎn)和直線運(yùn)動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)激光對(duì)晶圓表面的完整掃描。當(dāng)激光 光束掃描到缺陷時(shí)，缺陷部位會(huì)產(chǎn)生特殊的散射信號(hào)。設(shè)備通過(guò)多通道采集散射光信號(hào)，排除表面背景噪聲，通過(guò)算法進(jìn)行分析比較，從而識(shí)別缺陷并確定其位置。量產(chǎn)時(shí)的晶圓處理速度可達(dá)到 100 片每小時(shí)。
1.2.6 有圖形缺陷檢測(cè)：掃描電路圖形，使用最廣泛
有圖形缺陷檢測(cè)設(shè)備采用高精度的光學(xué)技術(shù)，對(duì)晶圓表面納米及微米尺度的缺陷 進(jìn)行識(shí)別和定位。針對(duì)不同的集成電路材料和結(jié)構(gòu)，缺陷檢測(cè)設(shè)備在照明和成像 的方式、光源亮度、光譜范圍、光傳感器等光學(xué)系統(tǒng)上，有不同的設(shè)計(jì)。有圖形缺陷檢測(cè)設(shè)備主要可分為明場(chǎng)缺陷檢測(cè)和暗場(chǎng)缺陷檢測(cè)兩大類。
明場(chǎng)缺陷檢測(cè)設(shè)備，采用等離子體光源垂直入射，入射角度和光學(xué)信號(hào)的采集角度完全或部分相同，光學(xué)傳感器生成的圖像主要由反射光產(chǎn)生；暗場(chǎng)缺陷檢測(cè)設(shè) 備通常采用激光光源，光線入射角度和采集角度不同，光學(xué)圖像主要由被晶圓片 表面散射的光生成。明場(chǎng)設(shè)備的照明光路和采集光路共用一個(gè)顯微物鏡；而暗場(chǎng)檢測(cè)設(shè)備的照明光路和采集光路存在物理隔離。
晶圓表面的缺陷可分為系統(tǒng)性缺陷和隨機(jī)缺陷兩大類。隨機(jī)缺陷通常由晶圓生產(chǎn)中的雜質(zhì)污染（灰塵，金屬顆粒）所導(dǎo)致，具有較強(qiáng)的不可預(yù)測(cè)性；而系統(tǒng)性缺 陷通常由掩膜版或晶圓制造過(guò)程中的工藝問題所導(dǎo)致，具有較強(qiáng)的重復(fù)性。系統(tǒng)性缺陷通常出現(xiàn)在一批晶圓的相似位置（如晶圓的邊緣或中心位置）。
有圖形缺陷檢測(cè)的具體步驟為：移動(dòng)平臺(tái)吸附晶圓；通過(guò)預(yù)對(duì)準(zhǔn)確定晶圓中心位置和旋轉(zhuǎn)角度；通過(guò)圖像識(shí)別功能，精確校準(zhǔn)并確定每個(gè)芯片的位置；運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)以 S 形軌跡運(yùn)動(dòng)；運(yùn)動(dòng)中，光學(xué)系統(tǒng)對(duì)晶圓上的各個(gè)芯片進(jìn)行掃描、拍照；有圖形缺陷檢測(cè)設(shè)備將圖像和數(shù)據(jù)上傳系統(tǒng)，通過(guò)算法進(jìn)行處理。
由于隨機(jī)缺陷重復(fù)出現(xiàn)的概率極低，故有圖形缺陷檢測(cè)可對(duì)比兩個(gè)相鄰芯片的電路圖形，搜尋電路圖形差異從而定位缺陷。相對(duì)的，系統(tǒng)性缺陷可能同時(shí)出現(xiàn)在 相鄰芯片上，故鄰近對(duì)比的陷檢測(cè)方式可能無(wú)法發(fā)現(xiàn)。為進(jìn)一步提高有圖形缺陷識(shí)別的準(zhǔn)確性，缺陷掃描系統(tǒng)通常會(huì)確定“黃金芯片”作為圖形對(duì)比基準(zhǔn) （reference）?！包S金芯片”可以通過(guò)人工選擇得到，也可以通過(guò)若干芯片的圖形組合疊加得到。
1.2.7 電子束、X 射線檢測(cè)與復(fù)檢：精度最高
電子束圖形缺陷檢測(cè)設(shè)備（EBI），是一種利用電子掃描顯微鏡，對(duì)晶圓進(jìn)行缺陷 檢測(cè)的量測(cè)設(shè)備。其核心部件電子掃描顯微鏡，通過(guò)聚焦離子束對(duì)晶圓表面進(jìn)行掃描，接收放射回來(lái)的二次電子和背散射電子，經(jīng)過(guò)計(jì)算處理后將其轉(zhuǎn)換為晶圓形貌的灰度圖像。傳統(tǒng)的光學(xué)檢測(cè)技術(shù)晶圓處理速度快；但隨著集成電路制程的發(fā)展，光學(xué)檢測(cè)方法受制于光線波長(zhǎng)，圖像識(shí)別時(shí)的分辨率和靈敏度面臨越來(lái)越大的挑戰(zhàn)。集成電 路產(chǎn)線通常采用光學(xué)、電子束相結(jié)合的檢測(cè)方法：光學(xué)檢測(cè)快速定位缺陷，電子束設(shè)備對(duì)缺陷進(jìn)行高精度的掃描成像。
相比于光學(xué)檢測(cè)設(shè)備，電子束檢測(cè)設(shè)備對(duì)圖形的物理缺陷（顆粒、凸起、橋接、 空穴）具有更高的識(shí)別率，對(duì)具備隱藏缺陷的檢測(cè)能力。雖然電子束設(shè)備性能占 優(yōu)勢(shì)，但是其檢測(cè)速度較慢，不能單獨(dú)滿足晶圓廠的需求，故不能完全替代光學(xué)檢測(cè)。為提高電子束設(shè)備的檢測(cè)速率，并行多筒和單筒多電子束設(shè)備為未來(lái)的主 要發(fā)展方向。
X 射線檢測(cè)設(shè)備主要由 X 射線管和 X 射線質(zhì)譜儀組成，這種檢測(cè)方法具備穿透力強(qiáng)，低損傷的特點(diǎn)，同時(shí)具備測(cè)定金屬成分的能力，可運(yùn)用在超薄膜的測(cè)量中。與電子束檢測(cè)類似，單獨(dú)的 X 射線檢測(cè)速度慢，主要運(yùn)用在多層、高深寬比結(jié)構(gòu) （例如：3D NAND 存儲(chǔ)器的 ON Stack）等特定場(chǎng)景中。
在完成對(duì)晶圓表面缺陷的檢測(cè)后，識(shí)別道的缺陷位置和特征會(huì)錄入到缺陷數(shù)據(jù)庫(kù)中。隨后，缺陷分析掃描電子顯微鏡（Review-SEM）用于高精度地分析缺陷的形 貌和成分。Review-SEM 通關(guān)收集散射的二次電子、背散射電子來(lái)觀測(cè)缺陷的尺寸、形貌、背景環(huán)境，通過(guò)收集特征 X 射線信號(hào)來(lái)確定缺陷的元素成分。與 EBI 相比，Review-SEM 具有更高的分辨率，但檢測(cè)速度更慢。
1.2.8 紅外光譜儀測(cè)量(FTIR)：有效獲取摻雜成分
傅里葉變換紅外光譜儀（FTIR）采用紅外線（2.5-25 微米）的高壓汞燈或碳硅棒光源，可以測(cè)量膜層物質(zhì)的化學(xué)組成和分子結(jié)構(gòu)。FTIR主要運(yùn)用在硅外延膜層的 膜厚和成分測(cè)量，及硼磷硅玻璃膜等特殊膜層的摻雜成分測(cè)量當(dāng)中。 FTIR工作的主要原理為：由紅外光源發(fā)出的紅外光經(jīng)準(zhǔn)直為平行紅外光束進(jìn)入干涉系統(tǒng)（由定鏡和動(dòng)鏡組成），由于光程差形成干涉。干涉光信號(hào)到達(dá)探測(cè)器上，經(jīng)過(guò)傅里葉變換處理得到紅外光譜圖，進(jìn)而得到化學(xué)成分等所需信息。
1.3 量測(cè)設(shè)備技術(shù)復(fù)雜，行業(yè)壁壘高
量測(cè)設(shè)備需要光學(xué)、電子學(xué)、移動(dòng)平臺(tái)、傳感器、數(shù)據(jù)計(jì)算軟件等多個(gè)系統(tǒng)密切配合，每個(gè)設(shè)備廠商針對(duì)上述系統(tǒng)都有獨(dú)特設(shè)計(jì)和大量的獨(dú)家 knowhow，行業(yè)壁 壘較高。 此外，制程升級(jí)也帶來(lái)了新的難點(diǎn)。等同樣大小的缺陷在成熟制程中是非致命的，在先進(jìn)制程中卻極有可能是導(dǎo)致電路失效的致命性缺陷。因此量測(cè)設(shè)備需要更高 的靈敏度，更快速、更精確的測(cè)量能力。超薄膜(厚度小于 10 埃)、極高深寬比、 非破壞性的圖形等結(jié)構(gòu)的測(cè)量，也提出了新的要求。量測(cè)設(shè)備的主要技術(shù)難點(diǎn)包 括分辨率、軟件算法、產(chǎn)能等。
1.3.1 光學(xué)檢測(cè)技術(shù)分辨率提高
隨著光刻技術(shù)的不斷發(fā)展，集成電路構(gòu)造不斷縮小，對(duì)檢測(cè)技術(shù)的分辨精度也提出了更高要求。目前較先進(jìn)的量測(cè)設(shè)備已使用 DUV 波段光源，能夠檢測(cè)小于 14 納米的缺陷，并實(shí)現(xiàn) 0.003 納米的膜厚測(cè)量；展望未來(lái)，量測(cè)設(shè)備會(huì)更多使用波 長(zhǎng)更短的VUV、 EUV 光源來(lái)捕捉更小的缺陷。此外，光源光譜范圍的拓寬和光 學(xué)系統(tǒng)數(shù)值孔徑的提升以提高光學(xué)分辨率，也是重要突破方向。
1.3.2 大數(shù)據(jù)檢測(cè)算法和軟件重要性凸顯
量測(cè)設(shè)備已不單純依賴圖像解析來(lái)捕捉缺陷，而是結(jié)合了圖像信號(hào)處理軟件和算法，在信噪比圖像中尋找異常信號(hào)。量測(cè)算法的專業(yè)性強(qiáng)、難度大，需要較長(zhǎng)時(shí)間的工藝經(jīng)驗(yàn)積累，開發(fā)周期長(zhǎng)。量測(cè)設(shè)備企業(yè)均在自家產(chǎn)品上研發(fā)算法和軟件，算法不對(duì)外單獨(dú)出售。隨著量測(cè)設(shè)備收集的數(shù)據(jù)量繼續(xù)增長(zhǎng)，未來(lái)對(duì)量測(cè)設(shè)備算法軟件的要求會(huì)越來(lái)越高。
1.3.3 設(shè)備檢測(cè)速度和吞吐量的提升
量測(cè)設(shè)備的產(chǎn)能關(guān)系到晶圓生產(chǎn)的效率和經(jīng)濟(jì)效益。量測(cè)設(shè)備的產(chǎn)能提升，將有效降每片晶圓的檢測(cè)成本，從而在提高良品率的同時(shí)，更好地控制晶圓廠的生產(chǎn)成本。
2 量測(cè)市場(chǎng)前景廣闊，海外龍頭一家獨(dú)大
2.1 量測(cè)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大
量測(cè)是除光刻、薄膜沉積、刻蝕外，最大的半導(dǎo)體設(shè)備細(xì)分類市場(chǎng)。隨著集成電路制程的進(jìn)步，量測(cè)設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模逐年上升，2021 年全球市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 104.1 億美元，僅次于刻蝕、光刻、CVD，相比于 2020 年的 76.5 億美元增長(zhǎng) 36.5%。
由于量測(cè)設(shè)備種類較多，量測(cè)設(shè)備市場(chǎng)存在多個(gè)細(xì)分類。有圖形缺陷檢測(cè)設(shè)備市 場(chǎng)規(guī)模最大，占量測(cè)設(shè)備整體銷售額的 34%；關(guān)鍵尺寸掃描顯微鏡占 12%；膜厚 測(cè)量設(shè)備占 12%；電子束檢測(cè)設(shè)備占 12%；套刻誤差設(shè)備占9%；宏觀缺陷檢測(cè)設(shè)備占6%；無(wú)圖形晶圓檢測(cè)設(shè)備占5%。
量測(cè)設(shè)備市場(chǎng)呈現(xiàn)出高度壟斷的格局，行業(yè)前 5 名分別為科磊、應(yīng)用材料、日立、 Nanometrics、Nova，市場(chǎng)占比分別為 52%，12%，11%，4%，3%，行業(yè)TOP3占據(jù)75%的市場(chǎng)份額。美國(guó)的科磊公司牢牢占據(jù)行業(yè)的龍頭地位，市場(chǎng)占有率超過(guò)行業(yè)第二的四倍。
2.2 量測(cè)設(shè)備國(guó)產(chǎn)率低，自主可控需求迫切
受益于國(guó)內(nèi)晶圓廠的大幅擴(kuò)產(chǎn)，中國(guó)大陸量測(cè)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模不斷攀升，2020 年市場(chǎng)規(guī)模已達(dá)到21億美元，折合人民幣約 150 億元，占全球量測(cè)設(shè)備市場(chǎng)總額的 27.4%。據(jù)精測(cè)電子預(yù)估，目前中國(guó)半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備市場(chǎng)已進(jìn)一步上升到 31.1 億美元，未來(lái)5年預(yù)計(jì)復(fù)合增長(zhǎng)率為14%。
量測(cè)設(shè)備涉及多種光學(xué)、電子學(xué)尖端技術(shù)，國(guó)內(nèi)企業(yè)在相關(guān)領(lǐng)域起步晚，技術(shù)積累薄弱，相比于科磊等海外企業(yè)有著很大的差距。國(guó)內(nèi)包含成熟制程在內(nèi)的所有半導(dǎo)體生產(chǎn)線中，國(guó)產(chǎn)前道量測(cè)設(shè)備的整體占比只有 2%。2022 年1-6 月，國(guó)內(nèi)晶圓廠公開招標(biāo)量測(cè)設(shè)備中（幾乎全部為成熟或特色工藝制程），國(guó)產(chǎn)化比例只有 12%?？紤]到大量 12 寸設(shè)備，晶圓廠未進(jìn)行公開招標(biāo)，實(shí)際國(guó)產(chǎn)化率更低。
2022 年 1-9 月，中國(guó)大陸光學(xué)類半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備的進(jìn)口額已達(dá) 25.21 億美元，已 接近去年 26.70 億美元的水平。同期，中國(guó)大陸電子顯微鏡與衍射儀進(jìn)口額 9.89 億美元，已超過(guò)去年全年（有部分電子顯微鏡與衍射儀用于半導(dǎo)體生產(chǎn)）。國(guó)內(nèi)量測(cè)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模大，進(jìn)口替代空間充裕，國(guó)產(chǎn)設(shè)備企業(yè)成長(zhǎng)空間廣闊。 隨著海外對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體施加更多限制，量測(cè)設(shè)備的重要性不斷凸顯?？评冢↘LA） 和應(yīng)用材料（AMAT）兩家美國(guó)公司，占據(jù)全球量測(cè)設(shè)備市場(chǎng)份額超過(guò) 60%，歐 洲和日本企業(yè)能夠替代的美系產(chǎn)品有限?？评诠?2021 財(cái)年來(lái)自中國(guó)市場(chǎng)的銷售 額，高達(dá) 26.6 億美元（包括備件、服務(wù)收入），國(guó)內(nèi)晶圓廠對(duì)其依賴程度較高。美 國(guó)企業(yè)在量測(cè)設(shè)備領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)地位，是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突破本輪新限制、沖擊高端制程所面臨的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。
2.3 科磊公司：全球量測(cè)設(shè)備領(lǐng)跑者
科磊（KLA）于 1976 年創(chuàng)立，總部在美國(guó)舊金山灣區(qū)的米爾皮塔斯，全球最大的量測(cè)設(shè)備企業(yè)。公司的業(yè)務(wù)已擴(kuò)張到全球 19 個(gè)國(guó)家，擁有員工超過(guò) 13200 人，65% 的員工擁有博士或碩士學(xué)位，2022 年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入92.12億美元，同比增 33.14%。 科磊公司的業(yè)務(wù)可分為服務(wù)和量測(cè)設(shè)備兩大類，其中2022財(cái)年服務(wù)收入 19.10 億 美元，占比 20.74%; 量測(cè)設(shè)備收入 73.01 億美元,占比 79.26%。公司 2022 年的研 發(fā)支出達(dá) 11.05 億美元。
科磊公司產(chǎn)品種類豐富，覆蓋幾乎全部量測(cè)設(shè)備細(xì)分類。其中，科磊公司在宏觀晶圓形貌檢測(cè)，無(wú)圖形缺陷檢測(cè)，有圖形缺陷檢測(cè)、掩膜版檢測(cè)、套刻誤差檢測(cè)等領(lǐng)域具有較強(qiáng)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，市場(chǎng)占比預(yù)估超過(guò)50%。
3 中國(guó)企業(yè)奮起直追，技術(shù)突破前景可期
經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的技術(shù)研發(fā)與經(jīng)驗(yàn)積累，中國(guó)企業(yè)在膜厚測(cè)量、缺陷檢測(cè)、關(guān)鍵尺寸 測(cè)量等領(lǐng)域取得了部分突破。數(shù)家國(guó)內(nèi)企業(yè)脫穎而出，成功打入中芯國(guó)際，長(zhǎng)江存儲(chǔ)等企業(yè)的量產(chǎn)產(chǎn)線。國(guó)內(nèi)企業(yè)在產(chǎn)品種類、工藝覆蓋、算法軟件、制程支持、核心零部件等方面，相比海外巨頭還有較大差距。但隨著國(guó)內(nèi)晶圓廠積極引入國(guó)產(chǎn)設(shè)備驗(yàn)證，國(guó)內(nèi)量測(cè)設(shè)備企業(yè)有望在技術(shù)上實(shí)現(xiàn)快速追趕，業(yè)績(jī)預(yù)期加速兌現(xiàn)。
3.1 精測(cè)電子：全方位布局前道檢測(cè)設(shè)備
武漢精測(cè)電子集團(tuán)股份有限公司創(chuàng)立于2006 年 4 月，是一家致力于為半導(dǎo)體、顯示以及新能源等測(cè)試領(lǐng)域提供卓越產(chǎn)品和服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)。公司產(chǎn)業(yè)布局日趨完善，在中國(guó)的武漢、蘇州、上海、香港、中國(guó)臺(tái)灣等地，及美國(guó)、日本等國(guó)擁有眾多家分子公司。公司于 2018 年進(jìn)軍半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，成立上海精測(cè)半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、武漢精鴻電子技術(shù)有限公司，分別布局前道、后道測(cè)試設(shè)備領(lǐng)域。
精測(cè)電子2021年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 24.09 億元，同比增長(zhǎng) 16.01%；其中半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備實(shí) 現(xiàn)收入 1.36 億元，同比增長(zhǎng)109%，占比呈逐步提升態(tài)勢(shì)。公司保持高研發(fā)投入， 2021年研發(fā)費(fèi)用 4.26 億元，占營(yíng)收 17.70%。同期由于面板擴(kuò)產(chǎn)速度放緩，公司AOI檢測(cè)系統(tǒng)和OLED檢測(cè)系統(tǒng)毛利率下降，公司利潤(rùn)增速放緩。
2022 前三季度，公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營(yíng)收1.12 億，同比增長(zhǎng)43.7%。在產(chǎn)品方面， 膜厚、電子束均獲得批量訂單。OCD 測(cè)量設(shè)備通過(guò)關(guān)鍵客戶28nm工藝驗(yàn)證，順利進(jìn)入量產(chǎn)生產(chǎn)線并投入使用。公司半導(dǎo)體光學(xué)量測(cè)再發(fā)新品，向國(guó)內(nèi)最大晶圓制造廠之一的華東大客戶交付光學(xué)形貌量測(cè) TG 300IF 設(shè)備。公司在前道量測(cè)領(lǐng)域布局最為全面，有望充分受益國(guó)產(chǎn)替代，未來(lái)在半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)⒂辛己冒l(fā)展。
3.2 睿勵(lì)科學(xué)儀器：國(guó)產(chǎn)量測(cè)設(shè)備領(lǐng)跑者
睿勵(lì)科學(xué)儀器（上海）有限公司是于2005年創(chuàng)建的合資公司，目前公司擁有的主要產(chǎn)品包括光學(xué)薄膜測(cè)量設(shè)備、光學(xué)關(guān)鍵尺寸測(cè)量設(shè)備、缺陷檢測(cè)設(shè)備。睿 勵(lì)科學(xué)儀器是國(guó)內(nèi)少數(shù)進(jìn)入國(guó)際先進(jìn)制程 12 英寸生產(chǎn)線的量測(cè)設(shè)備企業(yè)之一，是國(guó)內(nèi)唯一進(jìn)入三星存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)線的量測(cè)設(shè)備企業(yè)。
隨著國(guó)內(nèi)對(duì)量測(cè)設(shè)備的重視程度不斷提高，睿勵(lì)科學(xué)儀器的融資規(guī)模不斷擴(kuò)大：2019 年 8 月中微投資 1375 萬(wàn)元獲得睿勵(lì) 10%股份；2019 年 11 月睿勵(lì)獲得科 創(chuàng)投集團(tuán)、同祺投資、海風(fēng)投資、國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資等的戰(zhàn)略融資超 1.2 億； 2020 年 12 月中微公司增資 1 億元，成為第一大股東，股份占比 20%；2022 年 3 月 中微公司再次增資 1.08 億元，占股比例 29.35%。中微公司為睿勵(lì)科學(xué)儀器第一 大股東，持股比例為 29.36%； 由于量測(cè)設(shè)備研發(fā)周期長(zhǎng)，初期投入較大，2021 年 睿勵(lì)科學(xué)儀器實(shí)現(xiàn)收入 4084 萬(wàn)元，歸母凈利潤(rùn)為負(fù) 3541 萬(wàn)元。
目前，睿勵(lì)的膜厚測(cè)量，缺陷檢測(cè)及光學(xué)關(guān)鍵尺寸測(cè)量設(shè)備已為國(guó)內(nèi)近 20 家 前道半導(dǎo)體晶圓制造客戶所采用，截至 2022 年 6 月已完成多臺(tái)設(shè)備出貨，公司光 學(xué)膜厚測(cè)量設(shè)備已應(yīng)用在 65/55/40/28 納米芯片生產(chǎn)線，并正在進(jìn)行 14nm 工藝 驗(yàn)證；設(shè)備支持 64 層 3D NAND 芯片的生產(chǎn)，并正在 96 層 3D NAND 芯片產(chǎn)線上進(jìn)行工藝驗(yàn)證。
3.3 賽騰股份：半導(dǎo)體領(lǐng)域有力競(jìng)爭(zhēng)者
賽騰股份成立于 2001 年，由 3C 自動(dòng)化設(shè)備起家，后通過(guò)收購(gòu)切入半導(dǎo)體量測(cè)設(shè) 備賽道，在 2011 年成為蘋果產(chǎn)業(yè)鏈的供應(yīng)商后，公司發(fā)展速度逐步提高。2019 年 9 月賽騰股份收購(gòu)日本 Optima 株式會(huì)社 67.53%股份。收購(gòu)價(jià)款約合人民幣 16395 萬(wàn)元，通過(guò)不斷增資，截至 2021 年公司持有 Optima 約 74.10%股權(quán)。Optima 公司 主要產(chǎn)品有光學(xué)晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備（精度 0.2μm），如晶圓邊緣檢測(cè)、晶圓正面/ 背面檢測(cè)、宏觀檢測(cè)、針孔檢測(cè)等。 Optima 服務(wù)于一線大廠，韓國(guó)、日本、中國(guó)臺(tái)灣的客戶如 sumco、三星、memc Korea 等。國(guó)內(nèi)包括新晟、中環(huán)、奕斯偉、立昂微等客戶。目前 Optima 已覆蓋國(guó)內(nèi)多家領(lǐng)先晶圓廠，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)是企業(yè)未來(lái)的主要發(fā)展方向。
3.4 中科飛測(cè)：深耕半導(dǎo)體質(zhì)量控制設(shè)備
中科飛測(cè)在 2014 年 12 月，由嶺南晟業(yè)、中科院微電子所及蘇州翌流明共同 出資設(shè)立。公司是一家國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的高端半導(dǎo)體質(zhì)量控制設(shè)備公司，自成立以來(lái)始 終專注于檢測(cè)和量測(cè)兩大類集成電路專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品主要包括無(wú)圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備系列、圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備系列、三維形貌量測(cè)設(shè)備系列、薄膜膜厚量測(cè)設(shè)備系列等產(chǎn)品，已應(yīng)用于國(guó)內(nèi) 28nm 及以上制程的集成電 路制造產(chǎn)線。
公司依托多年在光學(xué)檢測(cè)技術(shù)、大數(shù)據(jù)檢測(cè)算法和自動(dòng)化控制軟件等領(lǐng)域的深耕積累和自主創(chuàng)新，公司得以向集成電路前道制程、先進(jìn)封裝等企業(yè)以及相關(guān)設(shè)備、材料廠商提供關(guān)鍵質(zhì)量控制設(shè)備。公司產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用在中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、 士蘭集科、長(zhǎng)電科技、華天科技、通富微電等國(guó)內(nèi)主流集成電路制造產(chǎn)線，打破 在質(zhì)量控制設(shè)備領(lǐng)域國(guó)際設(shè)備廠商對(duì)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的長(zhǎng)期壟斷局面。
公司 2021 年度實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 3.59 億元，其中檢測(cè)設(shè)備收入 2.65 億元，占營(yíng)收 73.84%，同比增長(zhǎng) 8.18%。主營(yíng)業(yè)務(wù)營(yíng)收從 2020 年 2.37 億元增長(zhǎng)至 2021 年 3.59 億元，同比增長(zhǎng) 51.48%。
3.5 東方晶源：發(fā)力突破電子束設(shè)備
東方晶源微電子科技（北京）有限公司成立于 2014 年，總部位于北京亦莊經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)，是一家專注于晶圓制造良率管理的公司。公司的產(chǎn)品有計(jì)算光刻軟件、 電子束缺陷檢測(cè)設(shè)備、關(guān)鍵尺寸量測(cè)設(shè)備三種。東方晶源于 2022 年 10 月購(gòu)置價(jià)值 2800 萬(wàn)元的北京土地，用于新建廠房；并于 2022 年 11 月完成新一輪股權(quán)融資，總?cè)谫Y額為 10 億。東方晶源的國(guó)內(nèi)首臺(tái)電子束缺陷檢測(cè)設(shè)備出貨以來(lái)，公司持續(xù)對(duì)其進(jìn)行升級(jí)優(yōu)化。 設(shè)備開機(jī)率已由 2021 年 6 月的 57%提升至 2022 年 6 月的月平均 90.5%，最時(shí)期高達(dá)到 98%。經(jīng)過(guò)三次重大改進(jìn)，晶圓產(chǎn)量較改進(jìn)前提升 250%~400%。2022 年 6 月東方晶源研發(fā)的新一代產(chǎn)品 SEpA-i515 正式發(fā)貨，經(jīng)過(guò)優(yōu)化升級(jí)，使 SEpA-i515 具有更高的 TPT 和更優(yōu)的平臺(tái)設(shè)計(jì)，設(shè)備運(yùn)行效率、性能指標(biāo)均有大幅提升。
東方晶源研發(fā)出國(guó)內(nèi)首 12 寸 CD-SEM，打破了國(guó)際巨頭的長(zhǎng)期壟斷。入駐國(guó)內(nèi)知名晶圓廠后，28nm 制程產(chǎn)品的 90nm 以上關(guān)鍵尺寸已完成驗(yàn)收，更小線寬工藝驗(yàn)證持續(xù)推進(jìn)中，設(shè)備開機(jī)率也已超過(guò) 90%。 2022年6月，公司新一代型號(hào)為SEpA-c410的CE-SEM發(fā)貨。該設(shè)備服務(wù)于 300mm 硅片工藝制程，通過(guò)先進(jìn)的電子束成像系統(tǒng)和高速硅片傳輸方案，搭配精準(zhǔn)的量測(cè)算法，可實(shí)現(xiàn)高重復(fù)精度、高分辨率及高產(chǎn)能的關(guān)鍵尺寸量測(cè)。
3.6 上海優(yōu)睿譜：FTIR 領(lǐng)域拓荒者
優(yōu)睿譜位于上海張江高科技園區(qū)，由長(zhǎng)期從事半導(dǎo)體行業(yè)的海歸博士、國(guó)內(nèi)優(yōu)秀的量測(cè)設(shè)備技術(shù)團(tuán)隊(duì)共同發(fā)起成立。公司團(tuán)隊(duì)核心成員均長(zhǎng)期深耕量測(cè)設(shè)備行業(yè), 產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)資源積累豐厚。優(yōu)睿譜的主要產(chǎn)品為 FTIR(傅立葉變換紅外光譜)，首臺(tái)設(shè)備 Eos200 于 2022 年 6 月正式交付客戶，是國(guó)內(nèi)首家實(shí)現(xiàn) FTIR 設(shè)備交付 的公司。此外，公司正在研制適用于12 寸制程的 Eos300系列產(chǎn)品。
FTIR 是一款利用紅外光譜經(jīng)傅里葉變換進(jìn)而分析各種外延層厚度以及元素濃度 的測(cè)量設(shè)備，可用于測(cè)量一代半導(dǎo)體（硅外延片）、二代半導(dǎo)體（砷化鎵、磷化銦 襯底外延）、三代半導(dǎo)體（碳化硅、氮化鎵外延片）、分子束外延（MBE）等的外延層厚度、光刻膠厚度及 CMP 拋光后的厚度，以及測(cè)定半導(dǎo)體制程各種元素濃 度。長(zhǎng)期以來(lái)，半導(dǎo)體 FTIR 市場(chǎng)被 Nanometrics、賽默飛等國(guó)際設(shè)備廠商所壟斷。 Eos200 設(shè)備采用模塊化等多種創(chuàng)新設(shè)計(jì)，降低了客戶的使用及維護(hù)成本。同時(shí)， 優(yōu)睿譜通過(guò)整合供應(yīng)鏈資源，有效縮短了該設(shè)備的交付周期。
3.7 上海御微：掩模版晶圓檢測(cè)同步發(fā)力
御微半導(dǎo)體生產(chǎn)出國(guó)內(nèi)首臺(tái)集成電路掩模版缺陷檢測(cè)設(shè)備，關(guān)鍵性能已經(jīng)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，并獲取得全球半導(dǎo)體協(xié)會(huì) SEMI S2 認(rèn)證，通過(guò)全球頂尖集成電路制 造商認(rèn)可并獲得重復(fù)訂單。此外，公司所生產(chǎn)的前道晶圓缺陷檢測(cè)產(chǎn)品，成功通 過(guò)知名集成電路制造商認(rèn)證。公司掌握整套尖端光學(xué)設(shè)備設(shè)計(jì)、集成及成像等核 心技術(shù)。研發(fā)項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)采用光刻機(jī)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，應(yīng)用于半導(dǎo)體量檢測(cè)，致力提高國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體量檢測(cè)設(shè)備的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。
3.8 埃芯半導(dǎo)體：X 射線檢測(cè)領(lǐng)先者
深圳埃芯半導(dǎo)體成立于 2020 年 10 月，公司產(chǎn)品涵蓋光學(xué)薄膜量測(cè)、光學(xué)關(guān)鍵尺寸量測(cè)、X 射線薄膜量測(cè)、X 射線材料性能量測(cè)、X 射線成分及表面污染量測(cè)等 領(lǐng)域。其中，公司的 X 射線測(cè)量技術(shù)在國(guó)內(nèi)居于領(lǐng)先地位。公司在深圳擁有 1000 多平米的研發(fā)及生產(chǎn)廠房，包括千級(jí)裝配調(diào)測(cè)潔凈間、百級(jí)和十級(jí)實(shí)驗(yàn)室潔凈間。
